MRAM (Magnetic Random Access Memory) to nieulotna technologia pamięci, rozwijana od lat dziewięćdziesiątych. Technologia ta jest zbliżona do szybkiego odczytu i zapisu statycznej pamięci losowej, z nieulotną pamięcią flash, gęstością mocy i czasem życia bez DRAM, ale średnie zużycie energii jest znacznie niższe niż DRAM i zasadniczo jest nieograniczone. Pisz wielokrotnie.

Intel powiedział, że wbudowana technologia MRAM może osiągnąć do 10 lat pamięci w 200 stopniach Celsjusza i zapewnia trwałość w ponad 106 cyklach przełączania. W procesie 22 FFL Intel opisuje kluczowe cechy pamięci stałej STT-MRAM (ang. Spin transfer torque - oparty na MRAM). Intel nazwał to "pierwszą technologią MRAM opartą na FinFET.

Ta technologia może być równoważna z fazą "gotowości do przygotowania". Intel nie ujawnił informacji o procesach żadnym klientom OEM, ale z różnych źródeł ta technologia została już zastosowana w obecnie wysyłanych produktach.

Co do Samsunga, to również twierdzi, że jego 8Mb MRAM ma żywotność baterii 106 i 10-letnią pamięć. Technologia Samsung będzie początkowo używana w aplikacjach IoT. Yoon Jong Song, główny inżynier Samsung R & D Center, powiedział, że niezawodność musi zostać ulepszona, zanim będzie można ją wykorzystać w zastosowaniach motoryzacyjnych i przemysłowych. Samsung z powodzeniem przeniósł technologię z laboratorium do fabryki i wprowadzi ją na rynek w niedalekiej przyszłości.

Samsung ogłosił także na platformie FDSOI 28nm, że STT-MRAM jest obecnie uważana za najlepszą technologię MRAM pod względem skalowalności, zależności kształtu i skalowalności magnetycznej.

Czym jest MRAM?

Według EETIME technologia MRAM jest rozwijana od lat 90. ubiegłego wieku, ale nie osiągnęła jeszcze powszechnego sukcesu komercyjnego. Yoon Jong Song, główny inżynier Samsung R & D Center, powiedział: "Myślę, że nadszedł czas, aby pokazać wyniki produkcji i komercjalizacji MRAM!" Song jest także głównym autorem artykułów firmy w IEDM.

Ponieważ branża wciąż dąży do uzyskania mniejszych węzłów technologicznych, pamięci flash DRAM i NAND stają przed trudnymi wyzwaniami związanymi z mikrowstrząsami, MRAM jest postrzegany jako alternatywny autonomiczny komponent, który ma zastąpić te układy pamięci. Ponadto ta nieulotna pamięć jest również uważana za atrakcyjną technologię wbudowaną ze względu na szybki czas odczytu / zapisu, wysoką tolerancję i wysoką retencję, odpowiednią do zastąpienia Flasha i wbudowanej pamięci SRAM. Wbudowana pamięć MRAM jest szczególnie przydatna w aplikacjach takich jak Internet rzeczy (IoT).

Głównym powodem jest to, że ma szybki czas zapisu, wysoką trwałość i doskonałą retencję. Wbudowana pamięć MRAM jest szczególnie przydatna do zastosowań takich jak urządzenia Internetu rzeczy (IoT), a także do pociągów generacji 5G.

Wbudowana pamięć MRAM zyskuje większą uwagę ze strony produktów konsumenckich, ponieważ spadek kosztów produkcji i inne technologie pamięci stają przed wyzwaniami skalowalności. Co ważne, wraz z rozwojem nowych technologii procesowych wielkość komórek SRAM nie zmniejsza się wraz z resztą procesu. Z tego punktu widzenia MRAM staje się coraz bardziej atrakcyjna.

Od zeszłego roku firma Globalfoundries dostarcza wbudowaną MRAM w proces FD-SOI 22FDX 22-nm. Ale Jim Handy, główny analityk w Objective Analysis, powiedział, że nie zauważył żadnego komercyjnego wprowadzenia produktów z wykorzystaniem technologii MRAM wbudowanej w Globalfoundries.

Powiedział: "Powodem, którego nikt nie używa, jest to, że muszą oni również dodawać do nich nowe materiały.

Jednak wraz ze spadkiem kosztów produkcji, a inne technologie pamięci stają przed wyzwaniem kurczenia się, wbudowana pamięć MRAM staje się coraz bardziej popularna. Handy powiedział: "Ważną rzeczą jest to, że wraz z rozwojem nowej technologii procesowej rozmiar komórki pamięci SRAM nie zmniejszy się wraz z późniejszym zaawansowanym procesem, dlatego MRAM stanie się coraz bardziej atrakcyjna.

UMC analizuje także MRAM

Odlewnia Ernst (2303) i następna generacja ST-MRAM (samoregulacyjna magnetorezystywna RAM) producent Avalanche ogłosiły, że obie firmy stały się partnerami do wspólnego opracowania i produkcji zastępczej pamięci wbudowanej. Magnetoresistive Random Access Memory (MRAM). W tym samym czasie UMC dostarczy technologię innym firmom poprzez autoryzację Avalanche. Zgodnie z tą umową o współpracy, UMC zapewnia wbudowanym nieulotnym blokom MRAM 28-nanometrowe procesy CMOS dla klientów, aby zintegrować moduły pamięci MRAM o niskiej latencji, ultra-wysokiej wydajności i małej mocy z produktami aplikacyjnymi. Sieci, urządzenia do noszenia, produkty konsumenckie i mikrokontrolery (MCU) oraz system-on-a-chip (SoC) dla rynków elektroniki przemysłowej i motoryzacyjnej.

UMC wspomniało również o tym, że obie firmy rozważają rozszerzenie zakresu współpracy na przetwarzanie technologii poniżej 28 nm, wykorzystując kompatybilne i skalowalne funkcje Avalanche w technologii CMOS do wykorzystania w zaawansowanych procesach. Ta zunifikowana pamięć (nieulotna i statyczna pamięć SRAM z dostępem swobodnym) może być płynnie przesyłana do następnej generacji wysoce zintegrowanych mikrokontrolerów (MCU) i układu "na chipie" (SoC). W ten sposób projektant systemu może bezpośrednio modyfikować tę samą architekturę i powiązany z nią system oprogramowania bez przeprojektowywania.

Petro Estakhri, dyrektor generalny i współzałożyciel Avalanche, powiedział: "Jesteśmy bardzo zadowoleni, że zespół ma światowej klasy specjalistę od płytek półprzewodnikowych, takiego jak UMC", powiedział zastępca generalny Hong Guiyu z Wydziału Zaawansowanych Technologii UMC. Wbudowana pamięć nieulotna Rozwiązania NVM zyskują popularność we współczesnym przemyśle projektowania układów scalonych, a przemysł odlewniczy zbudował silne i solidne, wbudowane rozwiązania dla branż o wysokim potencjale wzrostu, takich jak rozwijające się aplikacje elektroniki konsumenckiej i samochodowej. Karta pamięci nieulotnej. UMC z przyjemnością współpracuje z Avalanche, aby opracować 28-milimetrową pamięć MRAM, i oczekuje na przeniesienie tego procesu współpracy na fazę masowej produkcji klientów UMC.